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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 11页 | 201K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600 V, 2.2 Ω, 3.3 A, TO-220FP, DPAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.3 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD4N20 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 200V - 1.2ohm - 4A DPAK/IPAK MESH O |
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| STD4N20-1 | STMICROELECTRONICS |
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4A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 |
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| STD4N20T4 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252AA |
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| STD4N25 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| STD4N25-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
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| STD4N25T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252 |
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| STD4N52K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1 Ω typ., SuperMES |
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| STD4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 1.7 Ω, 3.8 A SuperMESH3 Pow |
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| STD4N62K3TRL | STMICROELECTRONICS |
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3.8A, 620V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD4N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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