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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 76 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD4N20T4 | STMICROELECTRONICS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252AA |
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| STD4N25 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| STD4N25-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251 |
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| STD4N25T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252 |
|
| STD4N52K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1 Ω typ., SuperMES |
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| STD4N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 1.7 Ω, 3.8 A SuperMESH3 Pow |
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| STD4N62K3TRL | STMICROELECTRONICS |
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3.8A, 620V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
|
| STD4N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA |
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| STD4N90K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，DP |
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| STD4NA40 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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