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STD4N20-1 PDF预览

STD4N20-1

更新时间： 2024-11-02 14:18:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 269K
描述
4A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3

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STD4N20-1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：76 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD4N20-1 数据手册

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STD4N20  
N-CHANNEL 200V - 1.2Ω - 4A DPAK/IPAK  
MESH OVERLAY™ MOSFET  
TYPE  
STD4N20  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
200 V  
< 1.5 Ω  
4 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.2 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
ADD SUFFIX “T4” FOR OREDERING IN TAPE &  
REEL  
3
3
2
1
1
DPAK  
TO-252  
IPAK  
DESCRIPTION  
TO-251  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performance. The new patented STrip layout cou-  
pled with the Company’s proprietary edge termina-  
tion structure, makes it suitable in coverters for  
lighting applications.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
200  
±20  
4
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
D
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
2.5  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
16  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
40  
W
C
Derating Factor  
0.32  
5
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤4A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
February 2001  
1/9  
1234567...9

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与STD4N20-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD4N20T4 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-252AA
STD4N25 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STD4N25-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-251
STD4N25T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252
STD4N52K3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1 Ω typ., SuperMES
STD4N62K3 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 620 V, 1.7 Ω, 3.8 A SuperMESH3 Pow
STD4N62K3TRL STMICROELECTRONICS

获取价格

 		3.8A, 620V, 1.95ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
STD4N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，DPA
STD4N90K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道900 V、1.90 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，DP
STD4NA40 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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