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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 45 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 45 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD45NF03LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-252AA |
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| STD45NF75 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 75V - 0.018 OHM -40A DPAK STripFETTMII POWER MOSFET |
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| STD45NF75T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 75V - 0.018 OHM -40A DPAK STripFETTMII POWER MOSFET |
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| STD45P4LLF6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级P沟道-40 V、12 mOhm典型值、-50 A STripFET F6功率MOS |
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| STD46P4LLF6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道40 V、0.0125 Ohm典型值、46 A STripFET F6功率MOSFE |
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| STD47N10F7AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道100 V、0.0125 Ohm典型值、45 A STripFET F7功率M |
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| STD-4810P | VOLGEN |
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ADAPTER - 50W |
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| STD49 | SIRECTIFIER |
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Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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| STD49 | SIRECT |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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| STD49GK08 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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