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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.42 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD | 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 24 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 38 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 38 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0135 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 152 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD44N4LF6 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 40 V, 8.9 mΩ, 44 A DPAK STripFETâ |
|
| STD36NH02L | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD390BLK | VCC |
获取价格 |
LED Mounting Hardware, PLASTIC PACKAGE |
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| STD3LN62K3 | STATEK |
获取价格 |
N-channel 620 V, 2.5 Ω , 2.5 A SuperMESH3⢠|
|
| STD3LN80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DP |
|
| STD3N25 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STD3N25-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 |
|
| STD3N25T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |
|
| STD3N30 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STD3N30-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251 |
|
| STD3N30L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STD3N30L-1 | ETC |
获取价格 |
OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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