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STD3NB30T4 PDF预览

STD3NB30T4

更新时间： 2024-11-24 20:22:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 154K
描述
3.2A, 300V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3

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STD3NB30T4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：190 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD3NB30T4 数据手册

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STD3NB30  
Ω - 3.2A DPAK  
N-CHANNEL 300V - 1.8  
PowerMesh MOSFET  
TYPE  
V
R
DS(on)  
I
D
DSS  
STD3NB30  
300 V  
< 2Ω  
3.2 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.8Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
3
1
DPAK  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
nation structure, gives the lowest RDS(on) per area,  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVERS  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
Value  
300  
Unit  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
300  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±30  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
3.2  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
2
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
12.8  
45  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.36  
4
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤3.2A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
May 2001  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD3NB50 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
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