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STD3NK60ZD

更新时间： 2024-11-24 06:14:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 351K
描述
N-channel 600 V, 3.3 Ω, 2.4 A, DPAK SuperFREDMesh™ Power MOSFET

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STD3NK60ZD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.4 A最大漏极电流 (ID)：2.4 A
最大漏源导通电阻：3.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：9.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD3NK60ZD 数据手册

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STD3NK60ZD  
N-channel 600 V, 3.3 Ω, 2.4 A, DPAK  
SuperFREDMesh™ Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
2.4 A  
STD3NK60ZD  
600 V  
< 3.6Ω  
■ 100% avalanche tested  
3
■ Extremely high dv/dt capability  
■ Gate charge minimized  
1
DPAK  
■ Very low intrinsic capacitances  
■ Fast internal recovery diode  
Application  
■ Switching applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Description  
The SuperFREDMesh™ series associates all  
advantages of reduced on-resistance, Zener gate  
protection and very high dv/dt capability with a  
fast body-drain recovery diode. Such series  
complements the “FDmesh™” advanced  
technology.  
Table 1.  
Order code  
STD3NK60ZD  
Device summary  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
3NK60ZD  
Tape and reel  
September 2008  
Rev 2  
1/14  
www.st.com  
14  
1234567...14

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