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STD3NC50T4 PDF预览

STD3NC50T4

更新时间： 2024-11-24 15:53:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 272K
描述
3.2A, 500V, 2.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3

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STD3NC50T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：2.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：12.8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD3NC50T4 数据手册

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STD3NC50  
STD3NC50-1  
N-CHANNEL 500V - 2.2Ω - 3.2A DPAK / IPAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD3NC50  
STD3NC50-1  
500 V  
500 V  
< 2.7Ω  
< 2.7Ω  
3.2 A  
3.2 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 2.2Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
1
1
DPAK  
IPAK  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
500  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
3.2  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
2
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
12.8  
60  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.48  
3.5  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤3.2A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
May 2002  
1/9  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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