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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD3NC60-1
STD3NC60-1 PDF预览

STD3NC60-1

更新时间： 2024-11-23 22:14:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 462K
描述
N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK PowerMesh⑩II MOSFET

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STD3NC60-1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：TO-251, IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：270 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A最大漏极电流 (ID)：3.2 A
最大漏源导通电阻：2.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD3NC60-1 数据手册

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STD3NC60  
STD3NC60-1  
N-CHANNEL 600V - 1.8Ω - 3.2A DPAK / IPAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD3NC60  
STD3NC60-1  
600V  
600V  
< 2.2Ω  
< 2.2Ω  
3.2A  
3.2A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.8Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL (SMD PACKAGE)  
3
3
2
1
1
DPAK  
IPAK  
(Suffix”-1”)  
No Suffix  
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
600  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±30  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
3.2  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
2
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
12.8  
50  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.4  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
3.5  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤3.2A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX.  
SD  
DD  
(BR)DSS  
August 2002  
1/10  
1234567...10

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与STD3NC60-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD3NC60T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252AA
STD3NK100Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-2
STD3NK50Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD3NK50Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD3NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA
STD3NK60Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA
STD3NK60ZD STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 3.3 Ω, 2.4 A, DPAK SuperFRED
STD3NK60ZFP STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA
STD3NK60ZT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA
STD3NK80Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220/FP/DPAK/I

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