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STD3NC50-1 PDF预览

STD3NC50-1

更新时间： 2024-01-23 01:07:28
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 96K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-251AA

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STD3NC50-1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：210 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：2.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD3NC50-1 数据手册

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STD3NC50  
STD3NC50-1  
- 3.2A DPAK / IPAK  
N-CHANNEL 500V - 2.2  
Ω
PowerMesh II MOSFET  
TYPE  
V
R
DS(on)  
I
D
DSS  
STD3NC50  
STD3NC50-1  
500 V  
500 V  
< 2.7Ω  
< 2.7Ω  
3.2 A  
3.2 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 2.2Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
1
1
DPAK  
IPAK  
DESCRIPTION  
The PowerMESH II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY . The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
Value  
500  
Unit  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
500  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
±30  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
3.2  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
2
A
D
C
I
( )  
l
Drain Current (pulsed)  
12.8  
60  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.48  
3.5  
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–65 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤3.2A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
May 2002  
1/9  
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与STD3NC50-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD3NC50T4 STMICROELECTRONICS

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 		3.2A, 500V, 2.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
STD3NC60 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK Po
STD3NC60-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK Po
STD3NC60T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252AA
STD3NK100Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-2
STD3NK50Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD3NK50Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD3NK60Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA
STD3NK60Z-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PA
STD3NK60ZD STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 3.3 Ω, 2.4 A, DPAK SuperFRED

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