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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD3NB50-1
STD3NB50-1 PDF预览

STD3NB50-1

更新时间： 2024-11-23 23:34:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 77K
描述
***** BITTE 4969170 VERWENDEN*****

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STD3NB50-1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：TO-251, IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.14Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：2.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD3NB50-1 数据手册

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STD3NB50  
N - CHANNEL 500V - 2.5Ω - 3A - IPAK/DPAK  
PowerMESH MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD3NB50  
500 V  
< 2.8 Ω  
3 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 2.5 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
3
1
1
IPAK  
TO-251  
(Suffix "-1")  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, SGS-Thomson has designed an  
advanced family of power MOSFETs with  
outstanding performances. The new patent  
pending strip layout coupled with the Company’s  
proprietary edge termination structure, gives the  
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche  
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge  
and switching characteristics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
500  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
500  
V
± 30  
3
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
1.9  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
12  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
50  
W
Derating Factor  
0.4  
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
4.5  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤3A, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/6  
May 1998  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
123456

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与STD3NB50-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD3NB50T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA
STD3NC50 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-251/TO-252 PowerMESHII MOSFET
STD3NC50-1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-251AA
STD3NC50T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		3.2A, 500V, 2.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
STD3NC60 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK Po
STD3NC60-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 3.2A DPAK / IPAK Po
STD3NC60T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252AA
STD3NK100Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 1000V - 5.4Ω - 2.5A - TO-220 - TO-2
STD3NK50Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD3NK50Z-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET

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