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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.18 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD3N25-1 | STMICROELECTRONICS |
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3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3 |
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| STD3N25T4 | STMICROELECTRONICS |
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3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |
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| STD3N30 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD3N30-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251 |
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| STD3N30L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD3N30L-1 | ETC |
获取价格 |
OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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| STD3N30LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252 |
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| STD3N30T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252 |
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| STD3N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po |
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| STD3N65M6 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、1.4 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M6功率MOSFET，D |
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