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STD3N25

更新时间： 2024-09-19 22:29:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	174K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STD3N25 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.18
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

STD3N25 数据手册

STD3N25

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

< 2 Ω

I_D

STD3N25

250 V

3 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 1 Ω

AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■

THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

IPAK

TO-251

(Suffix ”-1”)

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

APPLICATIONS

■

HIGH SPEED SWITCHING

UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

INDUSTRIAL ACTUATORS

DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR

TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER

ENVIRONMENT

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

■

PARTICULARLY SUITABLE FOR

ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP

BALLASTS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

250

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

V_{DG R}

V_GS

250

± 20

I_D

1.9

I_DM(•)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Derating Factor

0.36

-65 to 150

150

W/^oC

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/10

January 1995

12 3 4 5 6 7...10

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与STD3N25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD3N25-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA, IPAK-3
STD3N25T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
STD3N30	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3N30-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-251
STD3N30L	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3N30L-1	ETC	获取价格	OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STD3N30LT4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252
STD3N30T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252
STD3N62K3	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po
STD3N65M6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N沟道650 V、1.4 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M6功率MOSFET，D