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STD3N25T4 PDF预览

STD3N25T4

更新时间： 2024-09-20 20:31:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 355K
描述
3A, 250V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3

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STD3N25T4 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.18Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD3N25T4 数据手册

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STD3N25  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 2 Ω  
ID  
STD3N25  
250 V  
3 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
CHARACTERIZATION  
1
1
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX "T4")  
IPAK  
TO-251  
(Suffix "-1")  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH SPEED SWITCHING  
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
INDUSTRIAL ACTUATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR  
TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER  
ENVIRONMENT  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
■
PARTICULARLY SUITABLE FOR  
ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP  
BALLASTS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
250  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
250  
V
± 20  
3
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
1.9  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
12  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
45  
W
Derating Factor  
0.36  
-65 to 150  
150  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
January 1995  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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 		OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
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