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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD3N62K3
STD3N62K3 PDF预览

STD3N62K3

更新时间： 2024-11-02 06:14:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
19页 567K
描述
N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

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STD3N62K3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：2.27Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：620 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
最大漏极电流 (ID)：2.7 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD3N62K3 数据手册

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STB3N62K3, STD3N62K3, STF3N62K3  
STP3N62K3, STU3N62K3  
N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Power MOSFET  
D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK  
Features  
RDS(on)  
max  
3
3
Type  
VDSS  
ID  
Pw  
2
1
1
DPAK  
STB3N62K3  
STD3N62K3  
STF3N62K3  
STP3N62K3  
STU3N62K3  
620 V  
620 V  
620 V  
620 V  
620 V  
< 2.5 Ω  
< 2.5 Ω  
2.7 A  
2.7 A  
45 W  
45 W  
IPAK  
< 2.5 Ω 2.7 A(1) 20 W  
3
1
< 2.5 Ω  
< 2.5 Ω  
2.7 A  
2.7 A  
45 W  
45 W  
D²PAK  
1. Limited by package  
3
3
2
2
1
1
■ 100% avalanche tested  
TO-220FP  
TO-220  
■ Extremely high dv/dt capability  
■ Very low intrinsic capacitances  
■ Improved diode reverse recovery  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
characteristics  
■ Zener-protected  
Application  
■ Switching applications  
Description  
The new SuperMESH3™ series is obtained  
through the combination of a further fine tuning of  
ST's well established strip-based PowerMESH™  
layout with a new optimization of the vertical  
structure. In addition to reducing on-resistance  
significantly versus previous generation, special  
attention has been taken to ensure a very good  
dv/dt capability and higher margin in breakdown  
voltage for the most demanding application.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB3N62K3  
STD3N62K3  
STF3N62K3  
STP3N62K3  
STU3N62K3  
6N62K3  
6N62K3  
6N62K3  
6N62K3  
6N62K3  
Tape and reel  
Tape and reel  
Tube  
DPAK  
TO-220FP  
TO-220  
IPAK  
Tube  
Tube  
July 2008  
Rev 1  
1/19  
www.st.com  
19  
1234567...19

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STD3N62K3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STU3N62K3 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP
STP3N62K3 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po
STB3N62K3 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP

与STD3N62K3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD3N65M6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道650 V、1.4 Ohm典型值、3.5 A MDmesh M6功率MOSFET，D
STD3N95K5AG STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道950 V、4.3 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，
STD3NA50 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3NA50-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-251
STD3NA50T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252
STD3NB30 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 300V - 1.8ohm - 3.2A - DPAK PowerMESH MOSFET
STD3NB30T4 STMICROELECTRONICS

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 		3.2A, 300V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
STD3NB50 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD3NB50-1 STMICROELECTRONICS

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 		***** BITTE 4969170 VERWENDEN*****
STD3NB50T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA

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