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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STB3N62K3
STB3N62K3 PDF预览

STB3N62K3

更新时间： 2024-02-17 22:05:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
20页 551K
描述
N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK

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STB3N62K3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.58雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：620 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A最大漏极电流 (ID)：2.7 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.8 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB3N62K3 数据手册

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STB3N62K3, STD3N62K3, STF3N62K3  
STP3N62K3, STU3N62K3  
N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Power MOSFET  
D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK  
Features  
RDS(on)  
max  
3
3
Type  
VDSS  
ID  
PD  
2
1
1
DPAK  
STB3N62K3  
STD3N62K3  
STF3N62K3  
STP3N62K3  
STU3N62K3  
620 V  
620 V  
620 V  
620 V  
620 V  
< 2.5 Ω  
< 2.5 Ω  
2.7 A  
2.7 A  
45 W  
45 W  
IPAK  
< 2.5 Ω 2.7 A(1) 20 W  
3
1
< 2.5 Ω  
< 2.5 Ω  
2.7 A  
2.7 A  
45 W  
45 W  
D²PAK  
1. Limited by package  
3
3
2
2
1
1
■ 100% avalanche tested  
TO-220FP  
TO-220  
■ Extremely high dv/dt capability  
■ Very low intrinsic capacitances  
■ Improved diode reverse recovery  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
characteristics  
■ Zener-protected  
Application  
■ Switching applications  
Description  
The new SuperMESH3™ series is obtained  
through the combination of a further fine tuning of  
ST's well established strip-based PowerMESH™  
layout with a new optimization of the vertical  
structure. In addition to reducing on-resistance  
significantly versus previous generation, special  
attention has been taken to ensure a very good  
dv/dt capability and higher margin in breakdown  
voltage for the most demanding application.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
D²PAK  
Packaging  
STB3N62K3  
STD3N62K3  
STF3N62K3  
STP3N62K3  
STU3N62K3  
3N62K3  
3N62K3  
3N62K3  
3N62K3  
3N62K3  
Tape and reel  
Tape and reel  
Tube  
DPAK  
TO-220FP  
TO-220  
IPAK  
Tube  
Tube  
August 2009  
Doc ID 14894 Rev 2  
1/20  
www.st.com  
20  
1234567...20

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STB3N62K3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STU3N62K3 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP
STP3N62K3 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po
STD3N62K3 STMICROELECTRONICS

完全替代

 N-channel 620 V, 2.2 Ω , 2.7 A SuperMESH3™ Po

与STB3N62K3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STB3N62K3_09 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 620 V, 2.2 OHM , 2.7 A SuperMESH3 Power MOSFET D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, IP
STB3NA60-1 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-262VAR
STB3NA80T4 STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-263AB
STB3NB60 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET
STB3NB60-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-262AA
STB3NB60T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-263AB
STB3NC60 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET
STB3NC60-1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA

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