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STD3NA50

更新时间： 2024-11-23 22:29:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管
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10页	174K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STD3NA50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.82	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

STD3NA50 数据手册

STD3NA50

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

< 3 Ω

I_D

STD3NA50

500 V

2.7 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 2.4 Ω

AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■

THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

IPAK

TO-251

(Suffix ”-1”)

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

APPLICATIONS

■

HIGH SPEED SWITCHING

UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

INDUSTRIAL ACTUATORS

DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR

TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER

ENVIRONMENT

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

■

PARTICULARLY SUITABLE FOR

ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP

BALLASTS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

500

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

V_{DG R}

V_GS

500

± 30

2.7

I_D

1.7

I_DM(•)

P_tot

10.8

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Derating Factor

0.4

W/^oC

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/10

November 1996

12 3 4 5 6 7...10

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与STD3NA50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD3NA50-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| TO-251
STD3NA50T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| TO-252
STD3NB30	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 300V - 1.8ohm - 3.2A - DPAK PowerMESH MOSFET
STD3NB30T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	3.2A, 300V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
STD3NB50	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD3NB50-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	*** BITTE 4969170 VERWENDEN***
STD3NB50T4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-252AA
STD3NC50	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-251/TO-252 PowerMESHII MOSFET
STD3NC50-1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 3.2A I(D) \| TO-251AA
STD3NC50T4	STMICROELECTRONICS	获取价格	3.2A, 500V, 2.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3