STD3N30

更新时间： 2024-11-23 22:14:31

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STD3N30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

STD3N30 数据手册

STD3N30

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

< 1.4 Ω

I_D

STD3N30

300 V

3 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 1.1 Ω

AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

■

THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER

PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL

(SUFFIX ”T4”)

IPAK

TO-251

(Suffix ”-1”)

DPAK

TO-252

(Suffix ”T4”)

APPLICATIONS

■

HIGH SPEED SWITCHING

UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

INDUSTRIAL ACTUATORS

DC-DC & DC-AC CONVERTERS FOR

TELECOM, INDUSTRIAL AND CONSUMER

ENVIRONMENT

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

■

PARTICULARLY SUITABLE FOR

ELECTRONIC FLUORESCENT LAMP

BALLASTS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_DS

Parameter

Value

Unit

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

300

V_{DG R}

V_GS

300

± 20

I_D

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

I_D

I_DM(•)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

Derating Factor

0.4

W/^oC

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/10

December 1996

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD3N30L-1	ETC	获取价格	OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
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