STD4525NL

更新时间： 2024-01-21 07:51:20

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三合微科 - SAMHOP		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	888K
描述
N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor

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STD4525NL 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

STD4525NL 数据手册

S TU/D4525NL

S amHop Microelectronics C orp.

Arp,20 2005 ver1.2

N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor

PR ODUCT S UMMAR Y

FE ATUR E S

S uper high dense cell design for low R DS (ON).

R ugged and reliable.

VDS S

R DS (ON) ( m

Ω

) Typ

7.5 @ VG S = 10V

15 @ VG S = 4.5V

25V

45A

TO251 and TO 252 P ackage.

S TU S E R IE S

TO-252AA(D-P AK)

S TD S E R IE S

TO-251(l-P AK)

ABS OLUTE MAXIMUM R ATING S (T

=25 C unless otherwise noted)

Limit

Unit

P arameter

Drain-S ource Voltage R ating

Drain-S ource Voltage

S ymbol

Vspike^d

G S

G ate-S ource Voltage

Drain C urrent-C ontinuous ^a@ T

-P ulsed ^b

=25 C

Drain-S ource Diode Forward C urrent ^a

Maximum P ower Dissipation ^a

Operating J unction and S torage

Temperature R ange

, TS TG

-55 to 175

THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S

Thermal R esistance, J unction-to-C ase

J C

J A

Thermal R esistance, J unction-to-Ambient ^a

12 3 4 5 6 7 8

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