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STD40NE03LT4

更新时间： 2024-11-24 21:19:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 269K
描述
20A, 30V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3

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STD40NE03LT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD40NE03LT4 数据手册

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STD40NE03L  
®
N - CHANNEL 30V - 0.012 Ω - 40A TO-252  
STripFET POWER MOSFET  
TYPE  
STD40NE03L  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
30 V  
< 0.016 Ω  
40 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.012 Ω  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW GATE CHARGE  
APPLICATION ORIENTED  
CHARACTERIZATION  
3
1
■
ADD SUFFIX "T4" FOR ORDERING IN TAPE  
& REEL  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronics unique "Single Feature  
Size " strip-based process. The resulting transi-  
stor shows extremely high packing density for low  
on-resistance, rugged avalanche characteristics  
and less critical alignment steps therefore a re-  
markable manufacturing reproducibility.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
30  
± 20  
20**  
20**  
160  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
A
I
DM(•) Drain Current (pulsed)  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
55  
W
Derating Factor  
0.37  
7
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(**)  
(1) ISD 20A, di/dt 300 A/ s, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX  
≤
≤
µ
≤
≤
Value limited only by the package  
1/8  
September 1999  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD40NF02L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 20V - 0.01 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD40NF02LT4 STMICROELECTRONICS

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 		20A, 20V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3
STD40NF03L STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.012 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD40NF03L_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA
STD40NF10 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100V - 0.025Ω - 50A TO-220 / DPAK L
STD40NF10T4 STMICROELECTRONICS

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 		50A, 100V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, D2PAK-3

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