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STD40NF02LT4 PDF预览

STD40NF02LT4

更新时间： 2024-02-13 20:27:09
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 111K
描述
20A, 20V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3

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STD40NF02LT4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：TO-252, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD40NF02LT4 数据手册

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STD40NF02L  
®
N-CHANNEL 20V - 0.0095 Ω - 40A DPAK  
LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD40NF02L  
20 V  
< 0.0115 Ω  
40 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.0095 Ω  
TYPICAL Qg = 35 nC @ 10V  
OPTIMAL RDS(on) x Qg TRADE-OFF  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
3
1
DESCRIPTION  
DPAK  
TO-252  
(Suffix "T4")  
This application specific Power Mosfet is the third  
generation of STMicroelectronics unique "Single  
Feature Size " strip-based process. The resul-  
ting transistor shows the best trade-off between  
on-resistance and gate charge. When used as  
high and low side in buck regulators, it gives the  
best performance in terms of both conduction and  
switching losses. This is extremely important for  
motherboards where fast switching and high effi-  
ciency are of paramount importance.  
ADD SUFFIX "T4" FOR ORDERING IN TAPE & REEL  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND  
OPTIMISED FOR HIGH EFFICIENCY CPU  
CORE DC/DC CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
20  
Unit  
V
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
VDGR  
VGS  
20  
V
± 20  
20  
V
o
ID(• )  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID(• )  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
20  
A
I
DM(•• ) Drain Current (pulsed)  
80  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
55  
W
Derating Factor  
0.37  
-65 to 175  
175  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Current Limited By The Package  
(••) Pulse width limited by safe operating area  
1/6  
September 2000  
123456

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与STD40NF02LT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD40NF03L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.012 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD40NF03L_07 STMICROELECTRONICS

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STD40NF03LT4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
STD40NF06 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 60V - 0.024 ohm - 40A DPAK STripFET
STD40NF06LZ STMICROELECTRONICS

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA
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STD40NF10T4 STMICROELECTRONICS

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 		50A, 100V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, TO-252, D2PAK-3
STD40NF3LL STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD40NF3LL_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET

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