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SPS03N60C3

更新时间: 2024-09-28 04:03:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 381K
描述
Cool MOS⑩ Power Transistor

SPS03N60C3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-251AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.66
Is Samacsys:N其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):100 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3.2 A
最大漏极电流 (ID):3.2 A最大漏源导通电阻:1.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):9.6 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SPS03N60C3 数据手册

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SPS03N60C3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD3NM60T4 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-channel 600 V, 1.3 Ω, 3 A TO-220, DPAK, IP

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