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SPS04N60C3

更新时间: 2024-09-28 04:03:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 429K
描述
Cool MOS⑩ Power Transistor

SPS04N60C3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-251AA
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-251, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.8雪崩能效等级(Eas):130 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):4.5 A
最大漏极电流 (ID):4.5 A最大漏源导通电阻:0.95 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):13.5 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SPS04N60C3 数据手册

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2005-07-19  

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