是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 180121 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | Integrated Circuit |
Samacsys Package Category: | TO-XXX (Inc. DPAK) | Samacsys Footprint Name: | DPAK (TO-252)_2 |
Samacsys Released Date: | 2015-07-12 18:13:02 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 35 A | 最大漏极电流 (ID): | 35 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0215 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 140 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD86N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET | |
STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 | |
STP80NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD35NF3LL_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STD35NF3LL-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STr | |
STD35NF3LL-1T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
35A, 30V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | |
STD35NF3LLT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET | |
STD35P6LLF6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET | |
STD35P6LLF6 | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-60V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
STD361 | AUK |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor | |
STD361O | KODENSHI |
获取价格 |
Transistor, | |
STD36NH02L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFET | |
STD36P4LLF6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、36 A STripFET F6,DPAK封装 |