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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 13页 | 319K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.42 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0215 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD35P6LLF6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET |
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| STD35P6LLF6 | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| STD361 | AUK |
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NPN Silicon Transistor |
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| STD361O | KODENSHI |
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Transistor, |
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| STD36NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFET |
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| STD36P4LLF6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、36 A STripFET F6，DPAK封装 |
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| STD37N05TZ | STMICROELECTRONICS |
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NPN power TRILINTON™ |
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| STD37N05TZT4 | STMICROELECTRONICS |
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NPN power TRILINTON™ |
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| STD38NF03L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 38A TO-252 STripFET POWER MOSFET |
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| STD38NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
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38A, 30V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |
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