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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
13页 | 319K | |
描述 | ||
N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.42 | 其他特性: | LOW THRESHOLD |
雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 35 A | 最大漏极电流 (ID): | 35 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0215 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 140 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD35P6LLF6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET | |
STD35P6LLF6 | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-60V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
STD361 | AUK |
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NPN Silicon Transistor | |
STD361O | KODENSHI |
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Transistor, | |
STD36NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFET | |
STD36P4LLF6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、36 A STripFET F6,DPAK封装 | |
STD37N05TZ | STMICROELECTRONICS |
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NPN power TRILINTON™ | |
STD37N05TZT4 | STMICROELECTRONICS |
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NPN power TRILINTON™ | |
STD38NF03L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 38A TO-252 STripFET POWER MOSFET | |
STD38NF03LT4 | STMICROELECTRONICS |
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38A, 30V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |