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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD38NH02L
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STD38NH02L

更新时间： 2024-09-19 22:24:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 528K
描述
N-CHANNEL 24V - 0.011 ohm - 38A DPAK/IPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET

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STD38NH02L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.35Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A最大漏极电流 (ID)：38 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：152 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD38NH02L 数据手册

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STD38NH02L  
N-CHANNEL 24V - 0.011 Ω - 38A DPAK/IPAK  
STripFET™ III POWER MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STD38NH02L  
24 V  
< 0.0135 Ω  
38 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.011 Ω @ 10 V  
DS  
TYPICAL R (on) = 0.015 Ω @ 5 V  
DS  
R
* Qg INDUSTRY’s BENCHMARK  
DS(ON)  
3
3
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
LOW THRESHOLD DEVICE  
2
1
1
IPAK  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
TO-251  
(Suffix “-1”)  
■
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
DESCRIPTION  
The STD38NH02L utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is  
suitable fot the most demanding DC-DC converter  
application where high efficiency is to be achieved.  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC CONVERTES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage Rating  
spike(1)  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
24  
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
24  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 20  
38  
V
GS  
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
I
A
C
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
I
D
27  
A
C
(2)  
I
Drain Current (pulsed)  
152  
40  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.27  
250  
W/°C  
mJ  
(3)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
September 2003  
1/12  
1234567...12

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STD38NH02L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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