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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD35NF3LL-1
STD35NF3LL-1 PDF预览

STD35NF3LL-1

更新时间： 2024-11-23 22:14:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 470K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STD35NF3LL-1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.0215 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD35NF3LL-1 数据手册

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STD35NF3LL  
STD35NF3LL-1  
N-CHANNEL 30V - 0.014 Ω - 35A IPAK/DPAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STD35NF3LL  
STD35NF3LL-1  
30 V  
30 V  
< 0.0195 Ω  
< 0.0195 Ω  
35 A  
35 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.016 Ω @ 4.5V  
DS  
OPTIMAL R (on) x Qg TRADE-OFF @ 4.5V  
DS  
3
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
LOW THRESHOLD DRIVE  
3
2
1
1
IPAK  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
TO-251  
(Suffix “-1”)  
■
DESCRIPTION  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
This application specific Power MOSFET is the third  
genaration of STMicroelectronis unique "Single Feature  
Size™" strip-based process. The resulting transistor  
shows the best trade-off between on-resistance and gate  
charge. When used as high and low side in buck  
regulators, it gives the best performance in terms of both  
conduction and switching losses. This is extremely  
important for motherboards where fast switching and  
high efficiency are of paramount importance.  
APPLICATIONS  
■
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED  
FOR HIGH EFFICIENCY DC/DC  
CONVERTERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
35  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
25  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
140  
50  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.33  
300  
W/°C  
mJ  
(1)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
o
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) Starting T = 25 C, I = 17.5 A, V = 24 V  
j
D
DD  
February 2002  
1/10  
.
1234567...10

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与STD35NF3LL-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD35NF3LL-1T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		35A, 30V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
STD35NF3LLT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD35P6LLF6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET
STD35P6LLF6 UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
STD361 AUK

获取价格

 		NPN Silicon Transistor
STD361O KODENSHI

获取价格

 		Transistor,
STD36NH02L STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFET
STD36P4LLF6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、36 A STripFET F6，DPAK封装
STD37N05TZ STMICROELECTRONICS

获取价格

 		NPN power TRILINTON™
STD37N05TZT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		NPN power TRILINTON™

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