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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0215 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD35NF3LLT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET |
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| STD35P6LLF6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET |
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| STD35P6LLF6 | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| STD361 | AUK |
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NPN Silicon Transistor |
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| STD361O | KODENSHI |
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Transistor, |
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| STD36NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 0.011ohm - 30A - DPAK STripFET III Power MOSFET |
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| STD36P4LLF6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道40 V、0.0175 Ohm典型值、36 A STripFET F6，DPAK封装 |
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| STD37N05TZ | STMICROELECTRONICS |
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NPN power TRILINTON™ |
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| STD37N05TZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN power TRILINTON™ |
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| STD38NF03L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 38A TO-252 STripFET POWER MOSFET |
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