5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STD35NF06LT4
STD35NF06LT4 PDF预览

STD35NF06LT4

更新时间： 2024-11-23 21:53:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 434K
描述
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

STD35NF06LT4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.68
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD35NF06LT4 数据手册

 浏览型号STD35NF06LT4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD35NF06LT4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD35NF06LT4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD35NF06LT4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD35NF06LT4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD35NF06LT4的Datasheet PDF文件第7页 
STD35NF06L  
N-CHANNEL 60V - 0.014 Ω - 35A DPAK  
STripFET™ II POWER MOSFET  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STD35NF06L  
60 V  
< 0.017 Ω  
35 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.014 Ω  
DS  
LOW THRESHOLD DRIVE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
3
1
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-  
based process. The resulting transistor shows extremely  
high packing density for low on-resistance, rugged  
avalanche characteristics and less critical alignment  
steps  
reproducibility.  
therefore  
a
remarkable  
manufacturing  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
DC-AC CONVERTERS  
■
AUTOMOTIVE SWITCHING APPLICATION  
Ordering Information  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
PACKAGING  
STD35NF06LT4  
D35NF06L  
TO-252  
TAPE & REEL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
60  
60  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 16  
35  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
24.5  
140  
80  
A
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.67  
5
W/°C  
V/ns  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
dv/dt  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
280  
mJ  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(1) I ≤35A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
o
(2) Starting T = 25 C, I = 30A, V =30V  
j
D
DD  
November 2003  
1/9  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

STD35NF06LT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD7NM60N STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 600 V, 5 A, 0.84 ohm, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK second generation MDmesh Powe
STD17NF25 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 250V - 0.14ヘ - 17A - TO-220/FP - DP
STD12NF06T4 STMICROELECTRONICS

类似代替

 N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STr

与STD35NF06LT4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD35NF06T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 60V - 0.018ヘ - 35A - DPAK STripFET⑩
STD35NF3LL STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STr
STD35NF3LL_07 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD35NF3LL-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STr
STD35NF3LL-1T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		35A, 30V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
STD35NF3LLT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD35P6LLF6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET
STD35P6LLF6 UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C
STD361 AUK

获取价格

 		NPN Silicon Transistor
STD361O KODENSHI

获取价格

 		Transistor,

与STD35NF06LT4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证