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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 443K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 60V - 0.018ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A | 最大漏极电流 (ID)： | 35 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD35NF06L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩ |
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| STD35NF06L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| STD35NF06LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩ |
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| STD35NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60V - 0.018ヘ - 35A - DPAK STripFET⑩ |
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| STD35NF3LL | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STr |
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| STD35NF3LL_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET |
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| STD35NF3LL-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STr |
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| STD35NF3LL-1T4 | STMICROELECTRONICS |
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35A, 30V, 0.0215ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD35NF3LLT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET |
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| STD35P6LLF6 | STMICROELECTRONICS |
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P沟道60 V、0.025 Ohm典型值、35 A STripFET F6功率MOSFET |
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