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SI9926BDY-E3

更新时间： 2024-09-10 20:47:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 68K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI9926BDY-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：6.2 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI9926BDY-E3 数据手册

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Si9926BDY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.020 @ V = 4.5 V  
8.2  
6.7  
GS  
20  
0.030 @ V = 2.5 V  
GS  
D
1
D
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
G
2
1
G
S
1
S
2
Top View  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si9926BDY  
Si9926BDY-T1 (with Tape and Reel)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
GS  
V
V
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
8.2  
6.5  
6.2  
4.9  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.7  
2.0  
1.3  
0.95  
1.14  
0.72  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
52  
90  
32  
62.5  
110  
40  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72278  
S-31408—Rev. A, 07-Jul-03  
www.vishay.com  
1
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SI9926BDY-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI9926BDY VISHAY

类似代替

 Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9926BDY-T1-GE3 VISHAY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9926BDY-T1 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI9926BDY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9926BDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9926CDY VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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 		Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS -10 V
SI9926DY VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI9926DY KEXIN

获取价格

 		Dual N-Channel MOSFET

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