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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9933ADY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI9933ADY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI9933ADY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.075ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SI9933ADYD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.075ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SI9933ADYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.075ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SI9933BDY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9933BDY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9933BDY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9933CDY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI9933CDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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