SI9933ADY

更新时间： 2024-09-13 22:33:55

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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4页	49K
描述
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI9933ADY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP-8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.4 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI9933ADY 数据手册

Si9933ADY

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.075 @ V = –4.5 V

"3.4

"2.9

"2.6

0.105 @ V = –3.0 V

–20

0.115 @ V = –2.7 V

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

"12

= 25_C

= 70_C

"3.4

"2.7

"16

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–2.0

= 25_C

= 70_C

2.0

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70651

S-00652—Rev. B, 27-Mar-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

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