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SI9928DY

更新时间： 2024-11-26 22:33:55
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威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 87K
描述
Complimentary 20-V (D-S) MOSFET

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SI9928DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.58Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.4 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI9928DY 数据手册

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Si9928DY  
Vishay Siliconix  
Complimentary 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.05 @ V = 4.5 V  
GS  
"5.0  
"4.2  
"3.6  
"3.4  
"2.9  
"2.6  
0.06 @ V = 3.0 V  
GS  
N-Channel  
P-Channel  
20  
0.08 @ V = 2.7 V  
GS  
0.11 @ V = –4.5 V  
GS  
0.15 @ V = –3.0 V  
GS  
–20  
0.19 @ V = –2.7 V  
GS  
D
1
D
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
1
8
7
6
5
1
1
2
2
G
2
D
1
2
3
4
G
1
D
2
G
D
2
Top View  
S
1
D
2
D
2
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
–20  
"12  
"3.4  
"2.8  
"10  
–2.0  
2.0  
20  
"12  
"5.0  
"4.0  
"10  
2.0  
DS  
V
V
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
A
= 25_C  
= 70_C  
2.0  
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.3  
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
N- or P-Channel  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
62.5  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
Document Number: 70143  
S-00652—Rev. G, 27-Mar-00  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
1
123456

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SI9928DY 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4532ADY-T1-E3 VISHAY

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SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SI9933ADY_NL FAIRCHILD

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