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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9934BDY | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9934BDY_06 | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9934BDY-E3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9934BDY-T1-E3 | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9934BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 4800 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND |
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| SI9934DY | VISHAY |
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Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9934DY | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| SI9934DYD84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SI9934DY-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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| SI9934DYL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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