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SI9933DY-E3

更新时间: 2024-09-14 20:06:27
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 223K
描述
Transistor

SI9933DY-E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61最大漏极电流 (Abs) (ID):3.4 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1

SI9933DY-E3 数据手册

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