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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI9926CDY-T1-E3
SI9926CDY-T1-E3 PDF预览

SI9926CDY-T1-E3

更新时间： 2024-09-14 09:25:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 255K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI9926CDY-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.23Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9926CDY-T1-E3 数据手册

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New Product  
Si9926CDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
Definition  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.018 at VGS = 4.5 V  
0.022 at VGS = 2.5 V  
8
8
20  
10 nC  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Converter  
- Game Machine  
- PC  
SO-8  
D
1
D
D
1
D
1
D
2
D
2
2
S
1
8
7
6
5
1
G
2
3
4
1
S
2
G
2
G
1
G
2
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information:  
Si9926CDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si9926CDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
20  
12  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
V
8a  
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
8a  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
8a, b, c  
6.7b, c  
30  
2.6  
1.7b, c  
5
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
T
Continuous Source-Drain Diode Current  
A = 25 °C  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
IAS  
EAS  
L = 0.1 mH  
mJ  
W
1.25  
3.1  
2
2b, c  
1.3b, c  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
50  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta, c, d  
t ≤ 10 s  
Steady State  
62.5  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
32  
40  
Notes:  
a. Package limited, TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.  
Document Number: 68606  
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
1234567...10

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SI9926CDY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4944DY-T1-E3 VISHAY

类似代替

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SI4922BDY-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9926DY FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9926DY TYSEMI

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 		Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS -10 V
SI9926DY VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI9926DY KEXIN

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