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SI4944DY-T1-E3

更新时间： 2024-09-15 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 90K
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4944DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.3 A最大漏极电流 (ID)：9.3 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4944DY-T1-E3 数据手册

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Si4944DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free Option Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
12.2  
9.4  
RoHS  
0.0095 at VGS = 10 V  
0.016 at VGS = 4.5 V  
30  
COMPLIANT  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Conversion  
•
Load Switching  
SO-8  
D
1
D
2
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
S
2
G
1
G
2
G
2
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si4944DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4944DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
30  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
12.2  
8.8  
9.3  
6.7  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.9  
2.3  
1.2  
1.1  
1.3  
0.7  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
42  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
55  
95  
25  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
75  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
19  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72512  
S-82284-Rev. B, 22-Sep-08  
www.vishay.com  
1
123456

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SI4944DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4804BDY-T1-E3 VISHAY

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SI4922BDY-T1-E3 VISHAY

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 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4944DY-T1-GE3 VISHAY

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SI4946BEY VISHAY

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 		Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 ˚C MOSFET
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 		Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET
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Si4946CDY VISHAY

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 		Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SI4946DY TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon,
SI4946DY (KI4946DY) KEXIN

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 		Dual N-Channel MOSFET
SI4946EY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SI4946EY-T1 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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