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SI4946EY-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 15:51:11

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	71K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4946EY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.4 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SI4946EY-T1-E3 数据手册

Si4946EY

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D 175_C Maximum Junction Temperature

D 100% R_gTested

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

Pb-free

Available

0.055 @ V = 10 V

4.5

3.9

0.075 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4946EY

Si4946EY-T1 (with Tape and Reel)

Si4946EY—E3 (Lead (Pb)-Free)

Si4946EY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

4.5

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

3.8

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Single Avalanche Current

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

7.2

= 25_C

= 70_C

2.4

Maximum Power Dissipation

1.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70157

S-50524—Rev. E, 28-Mar-05

www.vishay.com

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