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SI4949EY

更新时间: 2024-11-06 15:51:11
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威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 210K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

SI4949EY 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.81Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):4.5 A最大漏源导通电阻:0.055 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SI4949EY 数据手册

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