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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SO-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI4963DY-E3 | VISHAY |
功能相似  |
Transistor, |
|
| FDS6890A_NL | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS9933BZ | FAIRCHILD |
功能相似 |
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MO |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4963DY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SI4963DYD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SI4963DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
|
| SI4963DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| SI4963DYL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| SI4965DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| SI4965DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
|
| SI4965DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| SI4966DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI4966DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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