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SI4972DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-27 21:12:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 282K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, MS-012, SOIC-8

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SI4972DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.8 A最大漏极电流 (ID)：10.8 A
最大漏源导通电阻：0.0145 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4972DY-T1-E3 数据手册

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Si4972DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
0.0145 at VGS = 10 V  
0.0195 at VGS = 4.5 V  
0.0265 at VGS = 10 V  
0.036 at VGS = 4.5 V  
10.8  
9.3  
•
•
Channel 1  
Channel 2  
30  
8.3  
7.2  
6.2  
30  
4
APPLICATIONS  
•
Logic DC/DC for Notebook PC  
D
1
D
2
SO-8  
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
S
2
G
G
1
2
G
2
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si4972DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4972DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Channel 1  
Channel 2  
Unit  
VDS  
30  
20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
10.8  
8.7  
8.7b,c  
6.9b,c  
20  
7.2  
5.7  
6.4b,c  
5.1b,c  
20  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
2.5  
1.6b,c  
2.1  
1.6b,c  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
T
ISM  
IAS  
20  
20  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
15  
6
L = 0.1 mH  
EAS  
11  
3.1  
1.8  
2.5  
1.6  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
2.1  
2.0b,c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.0b,c  
1.25b,c  
1.25b,c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel 1  
Channel 2  
Typical  
Maximum  
62.5  
Typical  
55  
Maximum  
62.5  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady  
52  
32  
°C/W  
RthJF  
40  
40  
50  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W (Ch 1) and 120 °C/W (Ch 2).  
Document Number: 73849  
S09-0138-Rev. D, 02-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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与SI4972DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4972DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4973DY VISHAY

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 		Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4973DY-T1 VISHAY

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 		Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4973DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
SI4973DY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND
SI4974DY-T1-3 VISHAY

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