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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4973DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 5800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, |
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| SI4973DY-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 5800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND |
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| SI4974DY-T1-3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI4974DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, |
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| SI4974DY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SI4976DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 6.2 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, S |
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| SI4978DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI4978DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 5500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SO-8, |
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| SI4980DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
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| SI4980DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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