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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4982DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| SI4992EY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SI4992EY_09 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SI4992EY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI4992EY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SI4992EY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
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| SI-4AAL1.441G01 | HITACHI |
获取价格 |
Isolator, 1429MHz Min, 1453MHz Max, |
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| SI-4AAL1.441G01-T | HITACHI |
获取价格 |
Isolator, 1429MHz Min, 1453MHz Max, |
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| SI-4AAR1.441G01 | HITACHI |
获取价格 |
Isolator, 1429MHz Min, 1453MHz Max, |
|
| SI-4AAR1.441G01-T | HITACHI |
获取价格 |
Isolator, 1429MHz Min, 1453MHz Max, |
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