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SI4974DY-T1-GE3 PDF预览

SI4974DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-24 21:12:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 109K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SO-8

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SI4974DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4974DY-T1-GE3 数据手册

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Si4974DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
8.0  
Available  
0.019 at VGS = 10 V  
0.026 at VGS = 4.5 V  
0.035 at VGS = 10 V  
0.048 at VGS = 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
100 % Rg Tested  
Channel-1  
Channel-2  
6.9  
30  
6.0  
5.0  
APPLICATIONS  
•
Logic DC/DC  
- Notebook PC  
D
1
D
2
SO-8  
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
S
G
G
2
1
G
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si4974DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4974DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel 1  
MOSFET  
N-Channel 2  
MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Channel-1  
Channel-2  
Steady State  
Unit  
Parameter  
Symbol  
VDS  
10 s  
Steady State  
10 s  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
8.0  
6.5  
6.0  
4.7  
6.0  
4.8  
4.4  
3.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
40  
30  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Pulse Avalanche Current  
1.8  
1.0  
1.8  
1.0  
IAS  
EAS  
15  
7
L = 0.1 mH  
Avalanche Energy  
11  
2.45  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2
1.1  
2
1.1  
0.7  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
1.3  
0.7  
1.3  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Typ. Max.  
Channel-2  
Typ.  
Unit  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Max.  
62.5  
110  
40  
t ≤ 10 s  
50  
90  
30  
62.5  
110  
40  
52  
91  
32  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Steady State  
Steady State  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 73052  
S09-0228-Rev. D, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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与SI4974DY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4976DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 6.2 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, S
SI4978DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4978DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SO-8,
SI4980DY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4980DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4980DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4980DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4982DY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4982DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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 		Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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