SI4966DY

更新时间： 2024-09-15 22:50:19

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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4页	53K
描述
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI4966DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.1 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI4966DY 数据手册

Si4966DY

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.025 @ V = 4.5 V

"7.1

"6.0

0.035 @ V = 2.5 V

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

= 25_C

= 70_C

"7.1

"5.7

"40

1.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70718

S-54939—Rev. A, 29-Sep-97

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

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SI4966DY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4966DY-T1-E3	VISHAY	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6890A	FAIRCHILD	功能相似	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

与SI4966DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4966DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
SI4967DY	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4967DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4967DY-T1	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4971DY	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4971DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4971DY-T1	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4972DYT1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4972DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4972DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta