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SI4966DY-T1-E3 PDF预览

SI4966DY-T1-E3

更新时间： 2024-11-27 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 242K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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SI4966DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.9
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：7.1 A最大漏源导通电阻：0.025 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4966DY-T1-E3 数据手册

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Si4966DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
7.1  
Definition  
0.025 at VGS = 4.5 V  
0.035 at VGS = 2.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
20  
6.0  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
SO-8  
D
1
D
2
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
G
1
S
2
2
G
G
G
2
1
Top View  
S
S
2
1
Ordering Information: Si4966DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4966DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
20  
12  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
7.1  
5.7  
40  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.7  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.3  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
62.5  
°C/W  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: www.vishay.com/www/product/spice.htm.  
Document Number: 70718  
S09-0869-Rev. D, 18-May-09  
www.vishay.com  
1
12345678

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SI4966DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

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SI4967DY-T1 VISHAY

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 		Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4971DY VISHAY

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 		Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4971DY-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI4971DY-T1 VISHAY

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 		Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4972DYT1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4972DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4972DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4973DY VISHAY

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