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SI4967DY

更新时间： 2024-11-26 22:50:19

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威世 - VISHAY		/
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4页	63K
描述
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI4967DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.85
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A	最大漏极电流 (ID)：	7.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

SI4967DY 数据手册

Si4967DY

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.023 @ V = -4.5 V

-7.5

-6.7

-5.4

0.030 @ V = -2.5 V

-12

0.045 @ V = -1.8 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4967DY

Si4967DY-T1 (with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-12

= 25_C

= 70_C

-7.5

-6.1

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-30

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

-1.7

= 25_C

= 70_C

2.0

a, b

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

62.5

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

C/W

Steady State

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v10 sec.

Document Number: 70813

S-31989—Rev. C, 13-Oct-03

www.vishay.com

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SI4967DY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4963DY-E3	VISHAY	功能相似	Transistor,
SI4966DY-T1-E3	VISHAY	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me

与SI4967DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4967DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4967DY-T1	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4971DY	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4971DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4971DY-T1	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4972DYT1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4972DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4972DY-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI4973DY	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4973DY-T1	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET