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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.41 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 8 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.021 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4965DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| SI4966DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI4966DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SI4967DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| SI4967DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI4967DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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| SI4971DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET |
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| SI4971DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI4971DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET |
|
| SI4972DYT1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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