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FDS6890A_NL

更新时间： 2024-11-20 19:59:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6890A_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.35其他特性：FAST SWITCHING
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.034 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6890A_NL 数据手册

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November 1999  
FDS6890A  
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel 2.5V specified MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
low gate charge for superior switching performance.  
• 7.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON = 0.022 Ω @ VGS = 2.5 V.  
)
• Low gate charge (23nC typical).  
• Fast switching speed.  
• High performance trench technology for extremely  
Applications  
low RDS(ON  
.
)
• DC/DC converter  
• Motor drives  
• High power and current handling capability.  
D2  
D2  
4
5
6
7
8
D1  
D1  
3
2
1
G2  
S2  
G1  
1
pin  
S1  
SO-8  
T
A=25oC unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
20  
V
VGSS  
ID  
V
A
±8  
7.5  
(Note 1a)  
20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2.0  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1.0  
(Note 1c)  
0.9  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°
TJ, Tstg  
C
Thermal Characteristics  
(Note 1a)  
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
78  
40  
90  
RθJA  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
°
RθJC  
C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS6890A  
FDS6890A  
13  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6890A Rev. C  
12345

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