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FDS6894AZ

更新时间： 2024-11-19 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 78K
描述
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

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FDS6894AZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.81
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.017 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.9 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6894AZ 数据手册

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October 2001  
FDS6894AZ  
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced  
·
8 A, 20 V.  
RDS(ON) = 17 mW @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 20 mW @ VGS = 2.5 V  
RDS(ON) = 30 mW @ VGS = 1.8 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
·
·
Low gate charge (14 nC typical)  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
·
High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
1
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
20  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 8  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
8
32  
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.0  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6894AZ  
FDS6894AZ  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6894AZ Rev C (W)  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDS6894AZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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