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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6910
FDS6910 PDF预览

FDS6910

更新时间： 2024-09-29 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 114K
描述
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FDS6910 数据手册

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September 2004  
FDS6910  
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced  
• 7.5 A, 30 V.  
RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 17 mΩ @ VGS = 4.5 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
• Fast switching speed  
• Low gate charge  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
± 20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
7.5  
20  
PD  
W
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1.0  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6910  
FDS6910  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6910 Rev BW)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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FDS6910 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4202DY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
STS8DNF3LL STMICROELECTRONICS

功能相似

 DUAL N-CHANNEL 30V - 0.017 ohm - 8A SO-8 LOW
FDC655BN FAIRCHILD

功能相似

 Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

与FDS6910相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6910_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS6910-Z ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，7.5A，17mΩ
FDS6911 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFE
FDS6911 ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，20V，7.5A，13mΩ
FDS6911_11 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDS6912 ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，逻辑电平，PWM 优化，PowerTrench® MOSFET，30V，6A
FDS6912 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6912_0007 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
FDS6912_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDS6912A FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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