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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS6930A
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FDS6930A

更新时间： 2024-09-22 22:20:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 196K
描述
Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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FDS6930A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.36
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.6 A
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6930A 数据手册

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October 1998  
FDS6930A  
Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
5.5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.040 W @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.055 W @ VGS = 4.5 V.  
Fast switching speed.  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's  
advanced PowerTrench process that has been  
especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
Low gate charge (typical 5 nC).  
High performance trench technology for extremely low  
RDS(ON)  
.
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line  
power loss and fast switching are required.  
High power and current handling capability.  
SuperSOTTM-6  
SuperSOTTM-8  
SOIC-16  
SOT-23  
SO-8  
SOT-223  
D2  
5
6
7
8
4
D2  
D1  
3
2
D1  
G2  
S2  
1
G1  
pin 1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25oC unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
FDS6930A  
Units  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±20  
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
5.5  
20  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1)  
2
1.6  
W
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
RqJC  
(Note 1)  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6930A Rev.D  
12345678

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